Ⅰ.考試性質 《模擬電子技術》考試是我校招收生物醫(yī)學工程碩士研究生而設置具有選拔性質的我校自命題入學考試科目，其目的是科學、公平、有效地測試考生是否具備繼續(xù)攻讀生物醫(yī)學工程專業(yè)研究生所需要的模擬電子技術的全部基本知識及常見應用及分析計算，評價的標準是高等學校醫(yī)學及相關專業(yè)優(yōu)秀本科畢業(yè)生能達到的及格或及格以上水平，以利于各高等院校和科研院所擇優(yōu)選拔，確保碩士研究生的招生質量。 Ⅱ.考查目標 要求考生系統(tǒng)、全面地掌握模擬電子技術的基本概念、基本定律，基本理論、基本分析方法、基本設計方法及典型應用電路，并且能靈活運用，具有較強的分析和設計能力。 Ⅲ.考試形式和試卷結構 一、試卷滿分及考試時間 本試卷滿分為150分，考試時間為180分鐘。 二、答題方式 答題方式為閉卷、筆試。 四、考試題型 題型： 1.填空題(30分)；2.選擇題(20分)；3.分析計算題(100分) Ⅳ.考查內容 （一）緒論 1.信號、頻譜的基本概念，信號的分類。 2.放大電路的基本知識：放大電路模型、放大電路的主要性能指標。 （二）運算放大器 1.集成運算放大器內部的主要結構及其電路模型。 2.集成運放的傳輸特性。 3.運算放大器的理想化條件。 4.用線性電路理論分析理想運放和電阻、電容等元件組成的簡單應用電路。 （三）二極管及其基本電路 1.半導體的基本知識：半導體、本征半導體、本征激發(fā)、載流子等基本概念。 2.雜質半導體的成因及特性。 3.PN結的形成及伏安特性。 4.半導體二極管的物理結構、工作原理、V-I特性、參數、基本應用電路及其分析方法與應用。 5.特殊二極管的應用分析。 （四）場效應三極管及其放大電路 1.FET的分類。 2.金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管結構、工作原理、特性曲線。 3.結型FET的結構、工作原理。 4.FET放大電路的分析。 5.電路參數對靜態(tài)工作點的影響，靜態(tài)工作點對非線性失真的影響。溫度的影響。 6.多級放大電路的分析。 （五）雙極結型三極管（BJT）及其放大電路 1.BJT的結構、類型及特點。 2.工作原理，電流分配，特性曲線。 3.放大電路的靜態(tài)（直流工作狀態(tài)）與動態(tài)（交流工作狀態(tài)）。 4.電路參數對靜態(tài)工作點的影響，靜態(tài)工作點對非線性失真的影響。溫度的影響。 5.用H參數小信號模型計算BJT放大電路的主要性能指標。 6.多級放大電路的分析。 7.三種組態(tài)放大電路的特點。 （六）頻率響應 1.單時間常數RC電路的頻率響應。 2.放大電路的頻率響應概述及三極管低頻、高頻小信號模型分析。 3.擴展放大電路通頻帶的方法。 4.多級放大電路的頻率響應。 （七）模擬集成電路 1.FET和BJT的的電流源。 2.差分式放大電路：直流放大電路存在各級靜態(tài)工作點間的相互影響、零點漂移的問題。差分式放大電路中差模信號、共模信號、差模電壓增益、共模電壓增益、差模輸入電阻、共模抑制比的基本概念，差分式放大電路分析。 3.集成電路運算放大器：集成電路運算放大器內部電路組成及工作原理簡介。 4.集成運放的主要參數及電路指標的運算。 （八）反饋放大電路 1.反饋的基本概念、分類的形式與判斷、特點及一般表達式。 2.深度負反饋條件下閉環(huán)增益的近似計算。 3.負反饋對放大電路性能的影響。 4.負反饋放大電路的設計。 （九）功率放大電路 1.功率放大電路的類型及其輸出功率、效率和非線性失真情況。 2.功率放大電路的分析與計算。 （十）信號處理與信號產生電路 1.濾波電路的基本概念及分類。 2.一階及高階有源濾波電路分析。 3.正弦波振蕩電路的組成、分類。 4.RC、LC正弦波振蕩電路分析。 5.非正弦信號產生電路的電路結構和工作原理。 （十一）直流穩(wěn)壓電源 1.小功率整流濾波電路的工作原理，輸入、輸出電壓之間關系。 2.線性穩(wěn)壓電路的工作原理，輸入、輸出電壓之間關系。 3.開關式穩(wěn)壓電路的工作原理，輸入、輸出電壓之間關系。 參考教材： 1.《電子技術基礎模擬部分》（第六版）.主編：康華光.高等教育出版社，出版時間：2016年12月. 2.《模擬電子技術基礎》(第五版).主編：華成英、童詩白.高等教育出版社，出版時間：2006年8月.